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用于VCSEL的锗晶圆/Riber宣布多片4英寸GSMBE49订单

      材料来源:化合物半导体

优美科(Umicore)开发出超低电阻率的8英寸n型锗晶圆
 
锗产品和材料解决方案供应商优美科光电材料(EOM)宣布成功开发出用于VCSEL的超低阻(<1mOhm.cm)6英寸和8英寸锗晶圆。
 
据该公司称,与传统上用于VCSEL的GaAs晶圆相比,优美科6英寸或8英寸晶圆上的VCSEL在已经证明有更好的光学性能的基础上,将有更出色的电气性能。
 
市场营销和业务发展总监Bendix De Meulemeester表示:“我们看到人们对我们用于光子应用的锗晶圆越来越感兴趣。得益于优美科的材料专业知识和专有技术,我们的团队已经能够开发出一种创新的锗晶体技术,该技术可以在n型锗晶圆中实现低于1mOhm.cm的电阻率,而不会影响晶体质量的卓越性,如零位错和高掺杂均匀性。”
 
“随着2020年第一块6英寸VCSEL 锗晶圆的开发,2021年第一块8英寸VCSEL 锗晶圆的开发,这是我们锗研发团队在较短的时间内的第三次创新,证明了我们对光子行业的承诺。”
 
MBE公司Riber宣布了一个多片4英寸GSMBE 49生产系统订单。
该系统旨在用于光电和微波应用,特别是用于下一代数据通信和电信设备的1.3µm量子点激光器(QD)的生长。
 
新一代数据通信设备需要对外延生长过程进行非常高精度的控制,这一点可通过Riber机器的公认性能和机器控制软件的复杂性来实现。
 
订购的机器将于2023年交付。
 
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