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ST启动“Electronique 2030”计划

材料来源：化合物半导体

ST是法国支持微电子研发和首次产业部署的五年战略计划的领导者之一

意法半导体公司在格勒诺布尔（法国）附近的克罗利斯研究、开发和制造基地接待了法兰西共和国总统艾曼纽尔•马克龙以及国家、地区和地方当局的主要部长和代表，以启动法国Electronique 2030’计划。

来自半导体和电子行业的ST合作伙伴也出席了会议，包括GlobalFoundries、CEA Leti和Soitec。

“Electronique 2030”计划是2021年10月份宣布的“法国2030”投资计划的一部分，旨在保持法国的领先地位，并解决当前和未来电子领域从上游研究到应用的挑战。

在欧洲层面，20个欧洲成员国已决定在第一个“微电子IPCEI（IPCEI ME）”的成功基础上，与欧盟委员会协调，推出新的IPCEI，“微电子和通信技术IPCEI（IPCEI ME/CT）”。

这一新的IPCEI有100多名参与者，将以半导体的整个价值链为目标，不仅支持研究、开发和创新（RDI），而且支持首次工业部署（FID）。IPCEI ME/CT分为四个工作流：感知（数字感知）、思考（嵌入式处理）、ACT（电力电子）和通信（通信组件）。

马克龙宣布，从2022年到2026年，法国将支持ST，以及其他14名参加IPCEI ME/CT的法国领先参与者。它通过其研发和制造基地直接支持ST参与四个工作流，尤其是在克罗利斯、格勒诺布尔、雷恩、罗塞特和图尔。

这将包括使用硅基氮化镓的创新电力电子技术、使用先进3D集成的智能光学传感器、嵌入AI、5G和6G射频技术和器件的研发，以及低功耗MCU和技术实现高性能，包括新的嵌入式相变存储FD-SOI技术，AI边缘使用创新的嵌入式内存CMOS技术架构等。

IPCEI ME/CT的资金需经欧盟委员会批准。

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