直播研讨会

化合物半导体先进应用大会

时间:2020年10月13日8:00-16:40

演讲简介

近年来,以SiC和GaN为代表的第三代半导体广受关注,由于SiC和GaN器件具有更高的击穿电压、更高的导热率,在功率电子方面具有显著优势,特别适合于高温、高功率等应用场景。 随着5G、电动汽车、新能源等行业的兴起,为SiC和GaN带来了更广阔的应用增长空间,将大大刺激SiC和GaN器件的销售。5G的推出将使化合物半导体行业大获受益。GaAs HBT和GaN HEMT的应用将蓬勃发展,其他技术的应用与发展机会,如GaAs pHEMT和硅上GaN晶体管,也将接踵而至。新能源汽车的兴起将促进宽禁带半导体迅速发展。SiC SBD、SiC MOSFET及全SiC模块在主逆变器、OBC和充电桩等领域大显身手,硅基GaN电力电子器件及GaN激光雷达也将在低压变换及自动驾驶上各显神通。 为了配合支持5G及新能源汽车的发展,《化合物半导体》(Compound Semiconductor China)杂志社将主办“化合物半导体先进应用大会”,并邀请行业专家共同探讨化合物半导体在数字经济时代的机遇。化合物半导体先进应用大会将于2020年10月13日在北京国家会议中心与EDICON China大会同期举行。

演讲稿下载

氮化镓功率器件,新起点和新机遇
傅玥博士
苏州量微半导体有限公司

发展功能性衬底,助推氮化物半导体发展
张国义博士
北京大学东莞光电研究院

5G时代唤醒InP,“老”材料焕发“芯”机

时间:2020年8月25日14:00-17:00

演讲简介

作为第二代半导体材料代表的磷化铟(InP),具有高的电光转换效率、高的电子迁移率、高的工作温度、以及强抗辐射能力的特点,广泛应用在光通信、高频毫米波、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。根据Yole测算,2021年全球2英寸InP衬底需求达到约400万片,4英寸InP衬底需求约105万片。到2024 年,InP 市场规模将达到1.72 亿美元,年复合年增长率为14%。


演讲简介

近来,功率半导体器件,尤其是以GaN、SiC