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灵活的电源模块简化了SiC逆变器设计

      材料来源:化合物半导体

意法半导体的最新模块包含流行配置中的1200V SiC MOSFET

 

意法半导体发布了两款 STPOWER 模块,其中包含流行配置的1200V SiC MOSFET。每个模块都使用意法半导体的ACEPACK 2封装技术,以确保高功率密度和简化装配。

 

第一款新模块 A2F12M12W2-F1 是一个四组模块,可为 DC/DC 转换器等电路提供方便紧凑的全桥解决方案。

 

另一个模块 A2U12M12W2-F2 采用三电平 T 型拓扑结构,将高导通和开关效率与稳定的输出电压质量相结合。

 

这些模块中的 MOSFET 采用意法半导体的第二代 SiC 技术,该技术具有出色的 RDS(on) x die-area品质因数(FOM),可确保高电流处理能力和最小损耗。全桥和T型拓扑结构的每个芯片的典型RDS(on)值为13mΩ,均可应对高功率应用,并通过低功耗简化热管理确保出色的能效。

 

ACEPACK 2 封装具有紧凑的尺寸并确保了高功率密度,采用了高效的氧化铝衬底和直接键合铜 (DBC) 芯片附件。外部连接是press fit pins,可简化在潜在恶劣环境设备中的装配,例如电动汽车 (EV) 以及充电站、储能和太阳能的功率转换。该封装提供 2.5kVrms 绝缘,并包含一个集成的 NTC 温度传感器,可用于系统保护和诊断。

 

这些模块现已投入生产,A2F12M12W2-F1 四组配置和 A2U12M12W2-F2 三电平 T 型逆变器的单价均为 235.20 美元。

 

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