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在2025年即将到来之际,《化合物半导体》杂志特别推出—“新年展望(Outlook
2025)”邀稿。以下是拟定采访问题供您参考,可挑选撰写。我们诚挚地邀请您代表贵司或专业领域进行答复。《化合物半导体》将对来稿进行编辑处理,选择相关内容发表在《化合物半导体》杂志网站、公众号平台上,与读者分享。
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法国半导体材料公司Soitec宣布继续与麻省理工学院(MIT)的微系统技术实验室(MTL)展开研究合作,进一步巩固其在北美半导体领域的地位。这一举措旨在使技术合作多样化,并预测未来的行业需求。...
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2024年12月26日,中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期研制成功12英寸(300mm)N型碳化硅单晶衬底。...
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近日,费勉仪器科技(上海)有限公司公布了一种新的降低氮化物外延温度的技术——动能调控分子束外延。该技术在低至200℃的沉积温度下实现了氮化镓的外延,这是截至目前氮化镓外延的最低温度。...
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12月30日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司正式在香港联合交易所主板挂牌上市,股票简称“英诺赛科”,股票代码02577.HK。上市当天,众多英诺赛科公司领导及员工共同敲响上市宝钟,一同见证这一里程碑性时刻。在敲钟仪式上,英诺赛科创始人、董事长骆薇薇博士表示:“英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者,也是全球最大的氮化镓晶片制造企业。...
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2024年12月,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破。公司与下游客户携手,对镓仁半导体(010)面氧化镓半绝缘衬底进行了深入的器件验证工作。成功制备了性能卓越的增强型晶体管,其击穿电压高达2429V,相较于进口衬底的器件验证结果,性能指标实现了显著提升。...
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安森美宣布已与Qorvo达成协议,以1.15亿美元现金收购Qorvo的SiC JFET技术业务,包括其子公司United Silicon
Carbide。该交易将增强安森美的EliteSiC电源产品组合,使其能应对AI数据中心电源装置在AC-DC阶段对高能效和高功率密度的需求。...
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为了释放β-Ga2O3二极管在整流效率方面的潜在增长,这些器件需要结合更低的开启电压和降低导通电阻,同时还要更好地抑制反向漏电流。应对这一挑战的是中国科学技术大学的团队,他们展示了一种配备钨肖特基接触的β-Ga2O3异质结势垒肖特基二极管。...
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在5G应用中,功率放大器作为决定发射机性能的核心组件,受到广泛关注。氮化镓(GaN)器件凭借其卓越的材料特性,已成为功率放大器应用领域的关键元件。由于信息传输流量激增以及大规模5G部署需求,通讯模块对GaN功率放大器提出了严苛的线性度指标要求。...
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目前用于扩展SWIR光谱范围的激光技术依赖于昂贵而复杂的材料。眼下,西班牙光电研究所(ICFO)一研究团队在一篇Advanced
Materials论文中介绍了基于PbS胶体量子点的新方法。...
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根据Yole
Group首份以半导体激光器为主题的报告“2024年半导体激光器行业”,半导体激光器的市场规模预计从2023年的31亿美元增至2029年的50多亿美元。Yole表示,这一增长将继续受到多个因素的推动。...
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