演讲简介

近年来，以SiC和GaN为代表的第三代半导体广受关注，由于SiC和GaN器件具有更高的击穿电压、更高的导热率，在功率电子方面具有显著优势，特别适合于高温、高功率等应用场景。 随着5G、电动汽车、新能源等行业的兴起，为SiC和GaN带来了更广阔的应用增长空间，将大大刺激SiC和GaN器件的销售。5G的推出将使化合物半导体行业大获受益。GaAs HBT和GaN HEMT的应用将蓬勃发展，其他技术的应用与发展机会，如GaAs pHEMT和硅上GaN晶体管，也将接踵而至。新能源汽车的兴起将促进宽禁带半导体迅速发展。SiC SBD、SiC MOSFET及全SiC模块在主逆变器、OBC和充电桩等领域大显身手，硅基GaN电力电子器件及GaN激光雷达也将在低压变换及自动驾驶上各显神通。 为了配合支持5G及新能源汽车的发展，《化合物半导体》（Compound Semiconductor China）杂志社将主办“化合物半导体先进应用大会”，并邀请行业专家共同探讨化合物半导体在数字经济时代的机遇。化合物半导体先进应用大会将于2020年10月13日在北京国家会议中心与EDICON China大会同期举行。

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氮化镓功率器件，新起点和新机遇
傅玥博士
苏州量微半导体有限公司

发展功能性衬底，助推氮化物半导体发展
张国义博士
北京大学东莞光电研究院

演讲简介

作为第二代半导体材料代表的磷化铟（InP），具有高的电光转换效率、高的电子迁移率、高的工作温度、以及强抗辐射能力的特点，广泛应用在光通信、高频毫米波、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。根据Yole测算，2021年全球2英寸InP衬底需求达到约400万片，4英寸InP衬底需求约105万片。到2024 年，InP 市场规模将达到1.72 亿美元，年复合年增长率为14%。

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近来，功率半导体器件，尤其是以GaN、SiC为代表的第三代功率半导体器件受到业界广泛的关注。良好的效率、高功率耐受以及高开关频率让各种应用场景焕发新的活力，更小的尺寸、更低的成本变成了工程师们要达到的头等大事！但这同时也意味着更高的设计要求和测试挑战。你知道么 ......
1）准确的器件模型能让您更好的仿真和设计您的电路。你能想象源头的一个微小偏差在产品端会被放大多少倍么？
2）好的仿真能有效地在流片之前尽可能发现设计中潜在的问题。高开关频率下的EMI/EMC、高功率下的Thermal仿真你搞定了么？
3）好的测试平台能帮您建立更准确的模型，选择最优的器件并完善您的设计。你能想象一次失准的测试会对产品的上市造成多大的影响么？
器件是基础，只有稳固的基础才能支撑更高的上层建筑。本次直播研讨会，将集结从建模仿真到研发生产测试的整个专家团队，让您能一站式了解如何为您的功率半导体器件设计和测试加上最专业的保障！

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碳化硅（SiC）是非常具有发展前景的材料，目前受到极大关注。相较于硅器件，SiC器件性能优势十分显著，尤其是在高压与高频的性能上，因此广泛应用于功率器件和电力应用当中，比如功率放大器、电动汽车、5G基站等。

演讲简介

近年来，以SiC和GaN为代表的第三代半导体广受关注，由于SiC和GaN器件具有更高的击穿电压、更高的导热率，在功率电子方面具有显著优势，特别适合于高温、高功率等应用场景。
随着5G、电动汽车、新能源等行业的兴起，为SiC和GaN带来了更广阔的应用增长空间，将大大刺激SiC和GaN器件的销售。IHS Markit 预测，2018年全球SiC的总收入约为5亿美元，到2020年将翻一番，到2026年将增至近50亿美元。同样，2019年全球GaN功率器件的销售额达到约1.5亿美元，在2028年升至18亿美元。
本次研讨会聚焦GaN、SiC功率半导体技术及产业的最新发展趋势、技术挑战及相应的解决方案。

演讲简介

伴随5G、电动汽车等行业的兴起，第三代半导体受到广泛的关注。它的宽禁带特点使其具有更高的击穿电压、更高的导热率，从而特别适合于高温、高功率等应用场景。本次研讨会将为您带来GaN、SiC等第三代半导体器件的各类测试挑战以及是德科技相应的解决方案。