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高压垂直氮化镓器件代工服务商Odyssey Semi公布第三季度业绩

      材料来源:化合物半导体

创新的垂直氮化镓器件公司概述了业务和技术的里程碑

 

Odyssey Semiconductor Technologies是一家总部位于美国的半导体器件公司,基于其专有GaN工艺技术开发高压功率开关元件,现已公布其2022年第三季度业绩。

 

该公司在 2022 年第三季度产生了 208,780 美元的代工服务收入,大大高于预期,比 2022 年第二季度的 20,581 美元环比大幅增长。随着公司继续寻求代工服务的新机会,它正在为代工服务寻求200万美元的产线投资,它已从董事长John Edmunds那里获得并收到了125万美元的过桥贷款融资。

 

最近的业务里程碑包括:使用Odyssey的垂直GaN IP 650开发的1200V阈值的垂直GaN功率器件和1200V产品样品制造正在进行中(计划在2022年第四季度完成);以及客户承诺从2023年第一季度开始产品评估。

 

Odyssey认为,与SiC或横向GaN相比,其垂直GaN方法将比硅提供更大的商业优势。它表示,垂直GaN在性能和成本水平上比SiC具有10倍的优势,这是其他竞争技术所无法达到的。

 

“我们的垂直GaN功率器件达到1200V阈值对我们公司的影响,我怎么强调都不为过,” Odyssey首席执行官Mark Davidson说,“我们公司的成立就是为了实现这个目标。9月份公告的内容使我们能够专注于向客户交付样品。”

 

“在我们9月14日发布新闻稿之后,有兴趣接收我们产品样品的客户大大增加,形成了订单积压。作为一家公司,我们仍然专注于执行我们的里程碑,因为我们知道市场和客户在那里。我相信在工业电机、电动汽车和可再生能源市场的初始关键应用上,相对于硅和碳化硅,我们的团队有能力为我们提供性能和商业优势。“Davidson总结道。

 

Odyssey于9月任命Laura Krauss为首席会计官,以支持该公司2023年在纳斯达克上市的计划。

 

该公司所追求的市场很大且增长迅速。650V细分市场是当今较大的市场,预计将以20%的复合年增长率增长。1200V产品细分市场预计将以63%的复合年增长率快速增长,并将在本十年下半年成为更大的市场。根据Yole集团的数据,到2027年,650V和1200V功率器件市场合计预计将超过50亿美元,复合年增长率为40%。

 

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