我们的“面向未来的可再生与可靠能源碳化硅解决方案”(FOR2ENSICS)项目由欧盟地平线计划资助,旨在通过基于超高电压碳化硅IGBT的中压直流转换器填补这一空 白。通过从串联中压(1.2kV-6.5kV)碳化硅MOSFET或硅IGBT转向超高电压碳化硅IGBT,我们有望释放多项关键优势,包括降低导通损耗、简化驱动要求、缩小占地面 积和降低成本。然而,实现这一技术需要器件制造、钝化、封装和转换器组装方面的协调专业知识——这些目标通过集合工业界和学术界的广泛专长得以实现。
我们的“面向未来的可再生与可靠能源碳化硅解决方案”(FOR2ENSICS)项目由欧盟地平线计划资助,旨在通过基于超高电压碳化硅IGBT的中压直流转换器填补这一空 白。通过从串联中压(1.2kV-6.5kV)碳化硅MOSFET或硅IGBT转向超高电压碳化硅IGBT,我们有望释放多项关键优势,包括降低导通损耗、简化驱动要求、缩小占地面 积和降低成本。然而,实现这一技术需要器件制造、钝化、封装和转换器组装方面的协调专业知识——这些目标通过集合工业界和学术界的广泛专长得以实现。