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三星大幅减少未来生产NAND所需光刻胶使用量

      材料来源:韩媒

据韩媒报道,称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破,在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶(PR)用量,降幅达到此前用量的一半。
报道称,此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶,而三星通过精确控制涂布机的转速(rpm)以及优化PR涂层后的蚀刻工艺,现在只需4-4.5cc。此外,三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶,通常情况下一次工艺形成1层涂层,而使用更厚的光刻胶,三星可以一次形成多个层,从而提高工艺效率,但同时也有均匀性问题。
东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商,为三星第7代(11微米)和第8代(14微米)3D NAND 提供了关键材料。有消息称,从第9代 3D NAND 开始,三星将全面应用这项新技术,这一创新举措不仅提高了生产效率,更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。
 
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