行业新闻
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报道称台积电计划涨价:3nm或涨超5%,先进封装涨1... 2024-6-18
据报道,台积电计划涨价。3nm代工价涨幅或在5%以上,先进封装明年年度报价也约有10%-20%涨幅。台积电3nm获苹果、英伟达等七大客户产能全包,供不应求,预期订单满至2026年。
日本对加征中国EV关税态度慎重 2024-6-18
美欧先后对中国纯电动汽车(EV)加征关税,日本将与美欧的态度保持距离。EV在日本新车销售中所占的比率仅为2%左右,而且,中日在地理位置上靠近,从大企业到中小企业,双方的交易很多……
带有III-V和Si裸片的重组硅晶圆 2024-6-17
比利时的Imec和中国的浙江大学报告了一种与晶圆厂兼容的磷化铟基砷化铟镓(InGaAs/InP)至硅(Si)晶圆重组(WARE)工艺[Gauri Karve et al, Jpn. J. Appl. Phys., v63, p04SP42, 2024]。所报告的...
奕斯伟半导体材料产业基地落户珠海 “产业立柱项目... 2024-6-17
近日,珠海市金湾区人民政府、华发集团与北京奕斯伟科技集团有限公司在珠海签订奕斯伟半导体材料产业基地项目投资协议,标志着这个总投资约100亿元的重磅产业项目正式落户珠海金湾。市委书记陈勇...
制造高效GaN基VCSEL的新方法 2024-6-14
基于GaN的VCSEL由两层半导体反射镜(分布式布拉格反射镜,DBR)组成,中间由有源GaN半导体层隔开,形成光学谐振腔。该腔的长度对控制目标激光波长至关重要。
欧盟宣布对中国产电动车加征临时关税 2024-6-14
欧盟委员会发表声明,宣布将对从中国进口的电动汽车最高加征38.1%的额外关税。欧盟委员会称,如果欧盟无法与中方通过谈判达成解决方案,征收临时关税的举措将从7月4日起生效。
量子科技在锡驶入发展“快车道” 国内首条光子芯片... 2024-6-13
记者近日获悉,本月底,国内首条光子芯片中试线将进入设备调试冲刺阶段,量子科技这一未来产业在锡将进入发展“快车道”!
2029年电动汽车直流充电系统的市场规模将达到237亿... 2024-6-13
市场分析公司Yole Group认为,由于充电基础设施的不断扩大和即将到来的基础设施更新需求,电动汽车直流(EV DC)充电的出现具有长期的市场可行性,并为电力电子专业公司提供了一个前景广阔的商业...
微电子所在全自旋神经形态计算硬件研制及电路实现... 2024-6-12
神经形态计算因其在AI和大数据分析中的巨大应用潜力, 在全球范围内引起了广泛关注。
硅基III族氮化物紫外光子电路 2024-6-12
南京邮电大学报告了在硅衬底上使用III族氮化物外延层实现紫外(UV)光子集成电路(PIC)的进展。[Jiabin Yan et al, IEEE Transactions on Electron Devices, published online 2 April 2024]
佳能纳米压印光刻机进军印度! 2024-6-11
据报道,日本电子巨头佳能公司正与印度公司就专有纳米压印光刻设备进行洽谈光刻机安装事宜。
国产前道涂胶显影设备首次进入OCF国际供应链 2024-6-11
近日,SISPARK(苏州国际科技园)项目——芯达半导体设备(苏州)有限公司(以下简称“芯达半导体”)与吉林求是光谱数据科技有限公司合作签约,双方就供应链关系达成合作之后,国产前道涂胶显影...
TÜV南德携手锦浪科技建立碳中和战略合作 2024-6-7
近日,TÜV南德意志集团与锦浪科技股份有限公司于2024碳博会期间正式宣布建立碳中和战略合作伙伴,双方将聚焦双碳领域,引领光伏逆变器产品迈向可持续发展新台阶。
SiC接下来会怎样? 2024-6-7
Yole表示,重点正在转移
世界首个大规模增材制造与固态储氢核心装备制造基... 2024-6-6
近日,世界首个大规模增材制造固态储氢核心装备制造基地正式开工建设,地处浙江省杭州市萧山区经济开发区,总建筑面积13786平方米。
科学家提出钠离子电池极端低温电解液设计策略 2024-6-6
发展极端低温电池对于寒冷气候下人类活动以及极寒条件下太空探索和深海研究具有重要意义。
信息学院吕宏鸣课题组提出多项脑电和心电信号处理... 2024-6-5
上海科技大学信息学院吕宏鸣教授团队在电生理信号处理专用芯片领域取得多项重要研究进展,成果发表在生物医疗集成电路领域知名期刊IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems以及集成...
莱斯大学团队实时记录二维晶体合成 2024-6-5
上图:在高温和低流速条件下生长的MoS2晶体的伪彩光学图像,在测试的生长条件下,所得晶体的平均尺寸最大。
推进垂直GaN二极管的发展 2024-6-4
原生衬底上生长的垂直GaN p-i-n二极管有很多优点,包括结构简单、漏电流低、击穿电压高。
ASML和IMEC启用联合High-NA EUV光刻实验室 2024-6-4
近日,比利时微电子研究中心(imec)与阿斯麦(ASML)宣布在荷兰费尔德霍芬(Veldhoven)开设联合High-NA EUV光刻实验室(High NA EUV Lithography Lab),由ASML和imec共同运营。
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