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中科鑫通与天津津南签署光子芯片产业项目战略合作...
2023-12-5
近日,天津城投集团、津南区人民政府、中科鑫通公司光子芯片产业项目战略合作协议签约仪式在城投大厦举行。
九峰山实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈
2023-12-4
2023年11月,九峰山实验室基于氮化镓(GaN)材料的太赫兹肖特基二极管(SBD)研制成功。经验证,该器件性能已达到国际前沿水平。
BAE FAST实验室将开发GaN功率放大器模块
2023-12-4
BAE Systems的FAST实验室获得了一份价值500万美元的合同,该合同来自美国海军研究办公室(ONR)的COALESCE(面向低成本、高效率、SWaP受限环境的通用架构放大器)项目。
Yole:2022-2028年全球硅光子学市场CAGR达44%
2023-12-1
近日,Yole Intelligence发布了关于硅光市场的最新报告《Silicon Photonics 2023》。报告指出,除了来自超大规模企业(Hyperscaler)对数通的投资之外,硅光还有许多其他应用的投资来自台积电、英特...
欧洲集成光子企业呼吁欧盟为建立PIC弹性供应链提供...
2023-12-1
欧洲最大八家集成光子企业的首席执行官向Thomas Skordas(欧盟委员会通信网络、内容和技术总司副司长)、Lucilla Sioli(欧盟委员会通信网络、内容和技术总司人工智能与数字产业部主任)、Werner...
730W!金刚光伏高效异质结组件功率一路攀升
2023-11-30
近日,金刚光伏异质结系列光伏组件在全球知名的第三方权威机构TÜV南德的测试中取得了显著成就,最高功率达到了730W。
通快的Peter Leibinger荣获肖洛奖
2023-11-30
美国激光学会(LIA)授予通快监事会主席Peter Leibinger亚瑟·肖洛奖(Arthur L. Schawlow Award)。
SiC晶圆缺陷工具荣获创新奖
2023-11-29
Rigaku SE和Fraunhofer IISB在德国埃尔朗根共同运营X射线形貌专业技术中心,其中一个团队创建了一种新型SiC晶圆表征方法。
提取10μm以下LED的效率占比
2023-11-29
法国原子能委员会电子与信息技术实验室格勒诺布尔阿尔卑斯大学(Universtité Grenoble Alpes, CEA-LETI)利用阴极发光技术,解开了10μm以下氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED)各类效率的尺寸依...
首款背接触微米光伏电池问世
2023-11-28
加拿大渥太华大学领导的国际科研团队,研制出全球首款背接触微米光伏电池。与传统太阳能技术相比,新型电池的厚度仅为一根头发丝宽度的两倍,有望将能源生产成本降为原来的四分之一,为电子设备领...
三合一microLED
2023-11-28
丰田合成(Toyoda Gosei)的工程师们称,在提高全彩显示microLED制作的简易性方面,已取得重大进展。通过选择性去除有源层,他们制造出一种能发出红、绿、蓝三色光的单片InGaN LED。
总投资60亿元,联通长三角(芜湖)智算中心项目在...
2023-11-27
据芜湖市人民政府官微消息,近日,中国联通长三角(芜湖)智算中心项目开工仪式在芜湖江北新区举行。
金刚石上的射频溅射氧化镓
2023-11-27
研究团队报告了“利用射频磁控溅射在单晶金刚石(111)晶圆上异质外延生长β-Ga2O3薄膜的首次成果”[Takafumi Kusaba et al, Applied Physics Express, v16, p105503, 2023],该团队的研究人员大...
Yole:2022-2028年全球硅光子学市场CAGR达44%
2023-11-24
近日,Yole Intelligence发布了关于硅光市场的最新报告《Silicon Photonics 2023》。报告指出,除了来自超大规模企业(Hyperscaler)对数通的投资之外,硅光还有许多其他应用的投资来自台积电、英特...
调整GaN MOSFET的导通电阻
2023-11-24
日本一团队通过引入氮化界面,将GaN MOSFET的导通电阻降低了四倍。
5G+工业互联网:新型工业化助推器
2023-11-23
近日,2023中国5G+工业互联网大会在江城武汉举办,记者在会上看到了5G+工业互联网应用开花结果,展示出勃勃生机。
SiC是新型组串式逆变器的关键
2023-11-23
弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE)开发出世界首个用于大型发电站的中压组串式逆变器,并成功将其投入使用。
英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用
2023-11-22
近日,英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用,将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地,同时开展大规模量产化工程问题研究,提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
隧道结可增强深紫外LED的性能
2023-11-22
在提高深紫外LED的光电性能方面,武汉大学和宁波安芯美半导体的研究人员取得了重大进展。
国际电工委员会白皮书呼吁制定功率芯片标准
2023-11-21
三菱电机宣布,其牵头起草了2023年国际电工委员会(IEC)白皮书《面向节能社会的功率半导体》,IEC刚刚发布了该白皮书。
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