三安光电投160亿元再加码化合物半导体领域

6月16日，三安光电发布公告，宣布与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》，决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资160亿元建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。

项目实施主体为拟成立的长沙控股子公司，将研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

此外，6月13日，三安光电发布公告称大股东国家集成电路产业投资基金股份有限公司（大基金）计划减持公司股份不超2%，即81,568,498股。原本，大基金持有三安光电股票460,927,232股，约占公司总股本的11.30%。