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化合物半导体大事记2001年：一个强有力的开始

2021/3/12 19:54:19 材料来源：化合物半导体杂志

是什么标志着宽禁带电力电子产业的开始？这肯定是英飞凌推出的SiC肖特基势垒二极管，这是第一款上市的宽禁带电力电子产品。

当这款器件在2001年首次亮相时，它填补了市场的空白。为了避免在高温下会进一步加剧的非常高的泄漏电流，硅和砷化镓肖特基势垒二极管被局限于250V以下的阻断电压。英飞凌的两个新器件在承载高达1A的情况下可以处理300V和600V的电压，而且在散热方面要好得多，这使得它们在电源应用方面具有很大的优势。

英飞凌在其位于奥地利维拉赫的工厂用2英寸的碳化硅晶片制造这些器件，目标是工作在200瓦到1000瓦之间的电源。在这种方式下，该公司的二极管被用于服务器和无线基站。

那些愿意从硅二极管转换到碳化硅二极管的设计师得到了丰厚的回报。他们的电源更可靠，效率更高，而且可以更小更轻，因为SiC二极管允许提高工作频率，从而为减少无源元件的尺寸和重量打开了大门。

英飞凌的第一代碳化硅二极管采用了一种简单的架构，选择这种架构是为了尽量降低由昂贵的2英寸碳化硅衬底材料主导的成本。

自那以后，衬底的尺寸和质量都在提高，而价格却在相应地下降，二极管也经历了几次迭代，复杂性不断增加。到2018年，英飞凌已经发展到了其第六代产品，即能够处理4 A至20 A电流的650 V SiC肖特基势垒二极管系列。

2001年，随着英飞凌推出SiC肖特基势垒二极管，宽禁带产业应运而生。

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