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化合物半导体大事记之2012年：氮化镓获得了信任

2021/3/18 14:46:57 材料来源：化合物半导体杂志

“英雄”的结果激起了人们的兴趣，但并不能保证销量。这是因为设计师想要的产品既要有出色的性能，又要经久耐用。

Transphorm的开发人员完全理解这一点。他们知道他们的GaN FET引起了人们的极大关注，因为它们是一种很有前途的产品，效率超过了硅，而且在高温下的应对能力要好得多。然而，为了赢得销售，Transphorm不得不向其潜在客户保证，他们不需要对可靠性有任何的担忧，因此他们将这款600V FET投入独立器件测试。该器件于2012年通过测试，使Transphorm成为业内首个符合JEDEC标准的GaN FET。

这个西海岸工厂最初的产品是在碳化硅衬底上生产的。但生产很快就转向了硅。这一举措的好处不仅限于更便宜、更大的衬底，还包括有机会使用潜在的利用率不高的晶圆厂中成熟的200毫米生产线进行器件的加工。

证明器件可靠性的努力仍在继续。Transphorm的硅基GaN FET现在可以在标准温度和175°C下通过测试，这有助于推动其销售量，去年11月销售量超过50万。今年4月推出的第四代产品将硅基GaN FET的性能带到了一个新的高度，氮化镓获得了合格证书，促使其增加了对包括计算机和客机电源、伺服电机和电动汽车车载充电器在内的市场的渗透。

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