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总投资10亿元氮化铝单晶衬底项目签约浙江衢州

2025/2/12 9:36:43 材料来源：半导体材料行业分会

近日在衢州市召开的“工业强市、产业兴市”打造高质量发展建设共同富裕示范区市域样板推进会上，第四批龙游县签约了计划总投资达10亿元的氮化铝单晶衬底项目，规划建设年产5万片2-6英寸AlN单晶衬底生产线。

在已披露的项目信息中，项目的实施主体尚未公开，但国内具备氮化铝单晶衬底技术研发和生产能力的高科技企业有限，能够制备2英寸以上AlN单晶的企业/研发机构更是屈指可数。

直径60mm氮化铝单晶衬底

氮化铝单晶衬底是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、光学窗口、MEMS压电传感器等高端器件的关键材料，广泛应用于半导体、光电子、通信等领域，支持高温、高频、高功率器件的制造。本次项目计划年初启动，在2026年完成生产线建设并投入试生产。

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