Navitas推出用于电机驱动和功率转换的GaNFast功率IC

Navitas Semiconductor推出了NV6288，这是一款尖端的GaNFast™功率IC，旨在以无与伦比的效率、保护和集成度提升电机驱动和电源转换系统。NV6288采用GaNSense™技术设计，结合了高性能增强模式GaN FET、集成栅极驱动器和实时传感功能，可提供卓越的开关速度、节能和系统稳健性。

NV6288的主要特性：

• 宽Vcc工作范围：10–24V

• 集成高侧自举和击穿保护

• 自主低功耗待机和同步整流模式

• 精确的双向无损电流检测

• 用于高侧和低侧FET的可编程开通/关断dV/dt控制

• 650V连续额定电压，800V瞬态额定值

• 2MHz开关频率

• 紧凑的8×10mm QFN封装，带有增强型导热垫

• 20年有限保修和经过认证的碳中和®足迹

这款半桥GaNFast™功率IC将高性能增强型GaN FET与集成栅极驱动、控制及保护功能整合于一体，实现了前所未有的高频、高效运行。芯片还集成了GaNSense™电机驱动技术，可实时、精确地监测电压、电流和温度，从而进一步提升性能和可靠性，这是任何分立 GaN 或分立硅器件都无法达到的。

GaNSense™电机驱动技术无需外部电流检测电阻器支持无损电流检测，省去了外部检流电阻，从而减少了传导损耗和PCB热点，提高了系统效率；同时提供短路和过温保护，增强系统稳健性；自动待机模式则进一步提升了轻载、空载及微小负载下的效率。

这项创新在升压PFC电路等高频应用中将系统效率提高了0.5%，同时还实现了精确的过温和短路保护。Navitas强调环境责任，符合RoHS、无铅和REACH标准。与硅基解决方案相比，NV6288可节省高达40%的能源，并支持每单位减少4kg CO2的系统级排放。

这些GaN IC结合最高的dV/dt抗扰度、高速集成驱动器以及热优化、低电感的QFN封装，使设计人员能够简单、快速、可靠地完成方案设计。Navitas的GaN IC技术扩展了传统拓扑（如有源钳位反激、半桥、升降压、LLC 及其它谐振变换器）的能力，可在MHz以上频率实现极高效率和低EMI，并以极具竞争力的成本实现前所未有的功率密度。其自主同步整流和待机模式进一步优化了轻负载和续流条件下的性能。

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