东芝推出采用TOLL封装的第三代650V SiC MOSFET

东芝的最新器件旨在提高要求苛刻的工业应用中的效率和功率密度

东芝发布了三款新的650V SiC MOSFET，它们集成了其最新的第3代SiC MOSFET芯片。TW027U65C、TW048U65C和TW083U65C采用表面贴装TOLL封装，旨在降低工业设备中的开关损耗。它们适用于各种要求苛刻的电源应用，包括服务器、数据中心和通信设备中的开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电动汽车充电站和光伏（PV）逆变器的功率调节器。

与TO-247和TO-247-4L（X） 等引线封装相比，这些新器件的体积显著减少了80%以上。这种大幅的小型化直接有助于提高设备功率密度。此外，TOLL封装的表面贴装能力能使用更小的寄生阻抗元件，包括电阻器和电感器，从而降低开关损耗。

TOLL封装是一种9引脚、4端子封装，旨在方便在栅极驱动的信号源端子上使用开尔文连接。这种先进的设计最大限度地减少了封装内源线中电感的影响，从而实现了高速开关性能。例如，与东芝使用不带开尔文连接的TO-247封装的同类产品相比，该TW048U65C的导通损耗（Eon）显著降低了约55%，关断损耗（Eoff）显著降低了约25%。这种改进直接有助于降低设备的功率损耗。

东芝的第三代SiC MOSFET具有优化的漂移电阻和沟道电阻比，可在各种工作条件下实现良好的漏源导通电阻（RDS（on））温度依赖性。它们还表现出低 RDS（on） x 栅极漏极电荷 （Qgd），即关键的品质因数 （FOM）低，进一步提高了它们的性能。

所有型号均具有650V的绝对最大漏源电压（VDSS）和-10V至25V的宽栅源电压（VGSS）范围，可兼容各种栅极驱动电路，从而简化电路设计。这些器件的栅极阈值电压（Vth）通常在3.0V至5.0V之间，这也有助于简化电路设计。此外，高漏极电流（ID）额定值可确保在苛刻条件下稳健运行，从而提高系统可靠性。

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