韩美半导体Hanmi宣布2027年推出HBM混合键合设备

韩国半导体设备制造商韩美半导体公司近日公布了其混合键合技术发展路线图，宣布针对高带宽存储器（HBM）的混合键合机预计将于2027年上市，而用于片上系统（SoC）的混合键合机则计划在2028年推出。

由于半导体之间的距离减小且电阻降低，混合键合能够最大限度地提高信号传输效率。 这项技术虽然前景广阔，但因技术难度极高，目前尚未应用于HBM产品中。三维集成技术能够将I/O带宽提升千倍以上，HBM结构和背面供电技术等成为重要方向。混合键合作为三维集成的关键实现技术，正在成为半导体行业竞争的新焦点。目前，该技术主要被国际设备巨头所主导，韩美半导体的加入预示着未来市场竞争将更加激烈。韩美半导体曾表示将投入高达1000亿韩元，全力聚焦于混合键合技术的研发与生产领域。

韩美半导体正在积极扩展其半导体后端工艺设备产品组合。除了高带宽存储器外，公司还计划开发用于键合系统半导体的键合设备。根据公司公布的发展规划，韩美半导体将在今年下半年推出“2.5D Big Die TC Bonder”，这是采用2.5D封装的系统半导体键合设备。“Mild Hybrid Bonder”则计划于2026年下半年上市，这款设备可显著提高现有HBM键合设备的性能。在产能方面，韩美半导体最近开设了第六家工厂，目前TC Bonder产能为每年264台（每月22台）。公司计划明年将产能提高到每年420台（每月35台）

 

【杂志订阅】

首发专享，限时免费！《GaN》电子专刊第二期上线！立即扫码订阅：https://www.sbs-mag.com/subscribe_active.html?invitation_code=active202507&name=CSC