AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统，助力其功率器件大规模量产扩产

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2026年5月7日，AIXTRON SE宣布向瑞萨电子（Renesas）供应多台Planetary G5+C MOCVD系统，用于其氮化镓（GaN）功率器件在量产环境中的产能扩充。该设备已交付并全面投入运行。此次交付并非孤立的设备采购，而是瑞萨自2024年6月完成对Transphorm的收购后，系统化构建与扩展其GaN制造能力的关键一步，清晰地指向其面向未来的8英寸制造与市场规划。

自收购Transphorm以来，瑞萨持续加速GaN技术在多个关键功率电子应用领域的部署，包括电动出行与汽车电子、先进物联网解决方案、快充基础设施、AI数据中心电源架构，以及可再生能源与工业领域。这些应用对高效、紧凑的功率转换提出了规模化需求，直接驱动了瑞萨对核心制造产能的加码投资。

金属有机化学气相沉积（MOCVD）是制备高质量GaN外延层的核心工艺。AIXTRON的Planetary系列MOCVD系统针对高通量和高均匀性进行了优化，能够支持瑞萨GaN功率器件制造工艺的量产级扩展。此次新系统的引入，将深度整合至瑞萨独特的制造战略布局中。

产能布局清晰：自建核心产能与外协制造结合

瑞萨在GaN制造上采取了精准的垂直整合与弹性供应链策略。在核心的外延环节，其采取完全自有的生产模式，在美国加州、日本及中国台湾的工厂进行。在晶圆制造环节，则采用“自建产线+外协代工”的混合模式。

现有与代工产能：目前，中高压（如650V）GaN器件主要在日本收购自Transphorm的6英寸晶圆厂（年产能约3万片）生产。同时，瑞萨已与Polar Semiconductor达成协议，利用后者正在扩建的美国8英寸车规级工厂（规划月产能从2万片提升至近4万片）进行代工，确保了中高压产品产能的灵活性与可扩展性。

未来自有核心：瑞萨正在建设其第二个自有GaN晶圆厂，明确从6英寸向8英寸迈进，预计于2027年投产。该厂将主要生产满足快速增长需求的低压（200V以下）GaN芯片。瑞萨预测，未来两年低压GaN出货量将大幅提升，至2030年其需求将占整个GaN市场的约30%。此次AIXTRON设备的交付，正是为保障此类先进产能顺利爬坡提供关键设备支持。