SiC外延片和离子注入技术是最近从GE获得许可的SiC器件技术的补充
化合物半导体公司II-VI宣布已达成一项最终协议,以收购Ascatron AB的所有已发行股份,该公司是SiC外延片和电力电子器件制造商。
II-VI还宣布,它将收购Innovion Corporation母公司所有者所有的流通权益,该公司是硅与化合物半导体器件离子注入技术的领导者。两项交易均计划在2020年末完成。
Ascatron生产SiC外延片和器件,可用于各种高压电子应用。Ascatron在SiC和半导体产业中,有一支由宽带隙材料专家团队领导的200多人队伍,为SiC开发和生产工艺带来了世界一流的竞争力。
Innovion是一家世界级大型离子注入服务提供商,在全球范围内拥有30个注入系统,它能为最大300毫米晶圆的半导体材料处理所需的独特性能提供服务支持。Innovion的工艺能够掺杂各种半导体,包括SiC、GaAs、InP和硅,用以生产先进的器件。
II-VI Incorporated首席执行官Vincent D. Mattera说:“ Ascastron和Innovion的技术平台是同类产品中最好的,对我们市场领先的SiC衬底、我们在全球大规模晶圆制造的布局和我们最近从GE获得许可的SiC器件技术,都是完美补充。”
“我们将继续使用先进的材料和组件为现有客户提供服务,同时我们将结合这些功能,以达成世界上最先进的、内部垂直整合的150 mm SiC技术平台。我们在SiC衬底上专长和为满足对SiC电子产品快速增长需求而增加的先进SiC外延、器件制造和模块设计,是这一切的基础。”
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