行业新闻详细内容

化合物半导体大事记之2013年：“效率下降”的确凿证据？

2021/3/18 14:47:56 材料来源：化合物半导体杂志

关于“效率下降”的辩论有可能结束吗？考虑到仍存在着相互竞争又极力自我捍卫的理论，这需要无可辩驳的证据才行。得到这样的证据并不容易，但在2013年春天，加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)的研究人员与法国巴黎高等理工学院（École Polytechnique）的研究人员合作，并声称确凿的证据已经浮出了水面。

这个团队的证据来自一个极其优雅的实验，该实验与罗伯特·密立根在二十世纪初所做的实验很相似。密立根通过测量电子离开被光子束轰击的金属的动能来研究光电效应。

在最近的一次实验中，研究人员将载流子注入到量子阱中，记录了两种现象：LED发出的光，以及通过器件p面出射的电子的能量。为了确保所有的热化电子都离开LED，p面的表面已经用铯进行了处理。

当这项合作的科学家们通过对他们的LED器件加大电流时，他们检测到了与真空发射的电子相关的更高的能量峰值。根据他们的说法，这一现象的观察提供了确凿无疑的证据，证明俄歇复合效应是导致“效率下降”的原因。在他们看来，没有其他机制可以更好地去解释这些“热”电子峰。强化这一观点的现象是，他们发现，当开始出现“效率下降”效应时，高能峰值也开始出现。

那么，在这个领域工作的其他研究人员是否愿意举杯，为这个团队的成功干杯，并同意这项工作已经结束了这场辩论呢？绝对不会。总体而言，那些试图弄清“效率下降”原因的人立场早已根深蒂固，他们深信，即使在检查了所有证据之后，他们假设的理论仍然是最有说服力的。

对此持反对态度的人士认为，实验结果可能被错误地解读了。波士顿大学的恩里科·贝洛蒂(Enrico Bellotti)声称，这项实验表明，电子泄漏才是“效率下降”的主要原因，俄歇效应(Auger Effect)对电子泄露有一定的贡献。

纽约州特洛伊市伦斯勒理工学院的弗雷德·舒伯特对此表示赞同，他表示，实验中检测到的一些电子可能根本与俄歇效应无关，它们只是从LED的量子阱中泄漏出来的。舒伯特难以将俄歇重组视为“效率下降”的主要因素的另一个原因是，他认为在低温条件下，“效率下降”效应更明面，而此时的俄歇效应则更弱。

加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)与法国巴黎高等理工学院（École Polytechnique）的研究团队在2013年11月和12月出版的《化合物半导体》杂志上对反对者发表了讲话。在他们的专栏中，他们争辩说，在他们的LED中，电场不够强，不足以导致电子泄漏。他们还反驳了不可能观察到俄歇产生的电子逃逸到真空中的说法，并对自由载流子吸收可能是导致“效率下降”的原因表示了关注。

讨论相互竞争的理论将有助于进一步推动相关工作，从而就“效率下降”的原因达成共识。但即使是现在，这场辩论也没有完全消失。

通过跟踪通过LED的非辐射电子的能量，同时记录该器件的光输出，来自加州大学圣巴巴拉分校和法国联邦理工学院的研究人员声称，他们有确凿的证据证明俄歇是导致“效率下降”的原因。

声明：本篇文章属于原创，拒绝转载，如果需要转载，请联系我们，联系电话：0755-25988571。

上一篇：化合物半导体大事记之2...

下一篇：SEMICON CHINA/FPD CHI...

声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk