化合物半导体大事记之2014年：充分的补充

新兴器件的应用前景可以通过使用现有技术制造产品的最大生产商的行动来判断。只要替代方案有一丝成功的机会，一些领先的公司就可能会涉足其中；如果它们肯定会发挥重要作用，跨国公司就会对其进行投资，要么通过收购，要么通过内部开发。

 

从这个意义上说，宽带隙技术在未来肯定会发挥重要作用。电力电子领域的所有领先企业都已从原来的只考虑硅器件向碳化硅或氮化镓器件方面扩展，并取得了相应进展。

 

以英飞凌为例，它没有对这两个竞争对手中哪个将扮演更大的角色进行押注。取而代之的是，它两者都在追求，将GaN视为600V以下的有力候选者，将SiC视为较高电压的最佳选择。英飞凌并没有启动GaN的内部开发计划，而是决定收购这项技术。2014年，该公司同意斥资30亿美元现金收购硅基GaN国际先锋整流器(IR)。然而，值得注意的是，此次收购中其不仅获得IR基于GaN的技术，还获得了其低压硅MOSFET系列的技术，这个系列产品在销售额中占据了最大份额。当英飞凌将IR纳入旗下时，它将硅基GaN视为一项长期投资计划，其至少要在未来五年内才能实现销售。

 

2015年3月，英飞凌与松下联手，进一步加深了对GaN的涉足。这两家公司签署了一项协议，承诺共同开发一种将松下的常关型硅基GaN晶体管与英飞凌的可容纳这些芯片的表面封装技术合于一体的器件。

 

最近，英飞凌扩大了其使用自己设备制造的CoolGaN产品组合。因此，GaN正在不断发展中，而其SiC和Si技术都已经很成熟了，这使得这家实力雄厚的德国公司有着非常丰富的产品组合。

 

 

2014年，英飞凌同意以30亿美元的价格收购International Rectifier。交易的协调者是英飞凌技术公司首席执行官Reinhard Ploss（左）和国际整流器公司总裁兼首席执行官Oleg Khaykin（右）。