
超高性能VCSEL用外延片的制造设备
MBE设备公司Riber向其长期客户英特磊科技股份有限公司(IntelliEPI)交付了第一台MBE 8000系统,这是世界上最大的MBE设备。此次交付是该设备用于超高性能VCSEL应用的外延片制造的销售协议的一部分。
由于基于VCSEL的器件是通过衬底表面发射的,因此可以将其制造成具有高密度发射器阵列的器件。这些器件正逐步取代传统激光器,成为越来越多应用的基准技术——例如,3D检测(智能手机上的面部识别)或运动控制——横跨从消费电子到医疗保健、汽车和电信等不同领域。
Riber表示,与其他技术相比,其MBE技术具有一系列优势。这种创建非常清晰界面的能力与非常精确的组分控制相结合,可以提高沉积的半导体薄膜的质量,增强导电性和激光器的性能。为了满足高性能外延片制造对更大产能MBE平台的需求,并具有优异的晶圆均匀性,Riber开发了新型MBE 8000生产系统。
全自动MBE 8000使用超高真空沉积技术。该机器是一台多晶圆反应器,能够同时生长多达8片150毫米晶圆,并提供向200毫米晶圆过渡的可能性。该机器可以生产VCSEL和其他器件结构,控制精度可达原子单层,薄膜厚度均匀性远低于1%。
对于英特磊,MBE 8000系统将进一步增强其外延能力。除了现有的3台MBE 49、8台MBE 6000、2台MBE 7000、1台V90和1台VG100之外,这套新的MBE 8000生产平台将使英特磊能够满足其不断增长的VCSEL和其他市场的预期需求增长,特别是具有完美的品质的6英寸砷化镓产品,可以更好地满足其客户的需求。
“此次交付证实了Riber在MBE市场上的领导地位,及其MBE 8000多晶圆反应器的出色功能,其产量与市场需求相吻合。” 这台机器表明,MBE技术得到了完美的优化,与其他技术相比具有更多的附加值,特别是在制造复杂半导体结构的操作和产出方面。此外,MBE 8000系统还为将来的业务发展提供了强大的前景。” Riber执行董事会主席Philippe Ley确认道。
“这个最先进的MBE 8000技术平台,随着吞吐量的增加和性能的提升,将使英特磊能够更好地应对新兴的高性能市场,例如用于汽车激光雷达的VCSEL,以及用于5G射频应用的HEMT或HBT。一项关键的改进是在更大的反应平台上提高了材料均匀性。英特磊总裁兼首席执行官高永中表示:“随着未来这些MBE 8000反应器在我们位于美国德克萨斯州的扩大生产设施中的部署,英特磊将能够为所有客户提供更高价值的产品和服务。”
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