纳微半导体推出采用GaN和SiC的8.5kW AI数据中心电源

纳微半导体推出全球首款采用GaN和SiC用于AI和超大规模数据中心的8.5kW PSU，可提供98%的效率和行业领先的性能。

AI 优化的54V输出PSU符合开放计算项目（OCP）和开放式机架v3（ORv3） 规范，并采用配置在三相交错PFC和LLC拓扑结构中的高功率GaNSafe和 Gen-3快速SiC MOSFET，以确保最高的效率和性能，以及最少的元件数量。PSU的PFC和LLC都转向3 相拓扑（而不是竞争对手PSU 使用的3相拓扑），实现了业界最低的纹波电流和EMI。此外，与最接近的竞争系统相比，该PSU将GaN和SiC 器件的数量减少了2%，从而降低了总体成本。PSU的输入电压范围为180至264Vac，待机输出电压为12V，工作温度范围为-5oC 至 45oC。它在8.5kW 时坚持10ms，通过延长手段可坚持 20 ms。

三相LLC拓扑由高功率GaNSafe实现，该GaNSafe专为要求苛刻的大功率应用而设计，例如：AI数据中心和工业市场。纳微半导体的第3代集设计成了控制、驱动、传感和关键保护功能，可实现前所未有的可靠性和稳健性。GaNSafe是世界上最安全的GaN，具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚上都具有2kV ESD保护、消除负栅极驱动和可编程转换速率控制。所有这些功能均由4个引脚控制，可将封装视为分立GaN FET，无需VCC引脚。采用TOLL和TOLT 封装的650V GaNSafe适用于1kW至22kW的应用，可提供25至98mΩ的RDS（ON）MAX。

三相交错式CCM TP-PFC由采用“沟槽辅助平面”技术的第 3 代快速SiC MOSFET 供电，该技术由20多年的 SiC 创新开发提供支持，并在温度范围内提供世界领先的性能，提供低温运行、快速开关和卓越的稳健性，以支持更快的电动汽车充电和高达3倍的大功率AI数据中心。

“这种完整的GaN和SiC宽带隙解决方案使Navitas的AI电源路线图得以延续，这使得8.5kW电源成为可能，并计划在短期内达到12kW甚至更高，”Navitas的首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan说：“全球多达95%的数据中心无法支持运行NVIDIA最新Blackwell GPU的服务器的电源需求，这凸显了生态系统中的就绪差距。这种PSU设计直接解决了AI和超大规模数据中心的挑战。”

 

【近期会议】

12月6日14:00，《化合物半导体》杂志将联合牛津仪器带来“AI驱动下的光芯片新技术和产业发展”的线上主题论坛，共同探索AI与光芯片技术的融合之道，推动光电子产业的创新发展。见证光与智能的完美融合，开启光电子技术的新篇章。报名：https://w.lwc.cn/s/mmqAfy