英特尔全球首发300mm氮化镓Chiplet技术

据报道，日前，英特尔在会议上首次公开展示了基于300mm硅基氮化镓（GaN）工艺的Chiplet技术。

该氮化镓Chiplet采用了业界最薄的19µm硅衬底（取自完全加工、减薄和单晶化的300mm硅基氮化镓晶圆），且是业界首个采用单片集成氮化镓N-MOSHEMT和硅PMOS工艺的全功能集成片上CMOS数字电路库，涵盖反相器、逻辑门、多路复用器、触发器和环形振荡器等，TDDB、pBTI、HTRB和HCI测试结果均良好。

该Chiplet技术要素，推进了300mm硅基氮化镓技术的发展，使其成为高密度、高性能、高效率电力电子器件和高速/射频电子器件的理想选择。

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