总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目通线

据杭州士兰微电子股份有限公司官微消息，1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区举行8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式。

此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。

据悉，项目实施主体为厦门士兰集宏半导体有限公司（简称“士兰集宏”），总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。此前消息显示，二期建设计划投资50亿元，投产后将与士兰明镓的6英寸碳化硅产线通过技术互补，供应链协同和知识共享等方式，实现整合发展。

该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。

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