长电科技宣布实现玻璃基TGV射频IPD性能突破

自长电科技官微获悉，4月17日，长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证，通过测试结构的试制与实测评估，公司验证了在玻璃基底上构建三维集成无源器件的可制造性与性能优势，为5G及面向6G的更宽带宽射频前端与系统级封装优化提供了新的工程化路径。

据悉，长电科技基于TGV构建3D互连骨架，在玻璃基板上实现电感、电容等关键无源结构的集成，并将传统平面电感升级为3D结构，以降低高频损耗并提升器件品质因数（Q值）。在对比评估中，3D电感在Q值等关键指标上实现显著提升，在既定测试条件下较同等电感值的平面结构提升接近50%。同时，整体性能表现优于硅基IPD技术路线，为射频模组的小型化、高集成度与性能指标提升提供了可行的工程方向。

长电科技副总裁、技术服务事业部总经理吴伯平表示，公司将加速推进玻璃基TGV与PSPI晶圆级IPD技术在射频系统级封装中的工程化落地。

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